SIGC109T120R3

SIGC109T120R3中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 DIE

外形尺寸

高度 0.14 mm

封装 DIE

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIGC109T120R3
型号: SIGC109T120R3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IGBT3芯片 IGBT3 Chip

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