STGD3NC120H-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD3NC120H-1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 105000mW 3Pin3+Tab IPAK Tube

IGBT - 通孔 IPAK（TO-251）

得捷:
IGBT 1200V 16A IPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 105000mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube

儒卓力:
**IGBT 1200V 7A TO251 **

STGD3NC120H-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 105000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 105 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 105000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGD3NC120H-1

型号： STGD3NC120H-1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 105000mW 3Pin3+Tab IPAK Tube