SI8261ABC-C-IPR

SI8261ABC-C-IPR图片1
SI8261ABC-C-IPR图片2
SI8261ABC-C-IPR概述

Digital Isolator Open Drain 1CH Automotive 8Pin DIP SMD T/R

600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing


得捷:
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW


艾睿:
Digital Isolator Open Drain 1-CH Automotive 8-Pin DIP SMD T/R


SI8261ABC-C-IPR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 5.5ns, 8.5ns

通道数 1

正向电压 2.8V Max

耗散功率 300 mW

隔离电压 3750 Vrms

正向电流 30 mA

下降时间Max 20 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300 mW

电源电压 9.4V ~ 30V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

高度 3.44 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8261ABC-C-IPR
型号: SI8261ABC-C-IPR
描述:Digital Isolator Open Drain 1CH Automotive 8Pin DIP SMD T/R
替代型号SI8261ABC-C-IPR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI8261ABC-C-IPR

Silicon Labs 芯科

当前型号

当前型号

SI8261BBC-C-IP

芯科

完全替代

SI8261ABC-C-IPR和SI8261BBC-C-IP的区别

SI8261BBC-C-IS

芯科

完全替代

SI8261ABC-C-IPR和SI8261BBC-C-IS的区别

SI8261BCC-C-IS

芯科

完全替代

SI8261ABC-C-IPR和SI8261BCC-C-IS的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台