SST112-T1-E3

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SST112-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -55.0 V

漏源极电阻 50.0 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

连续漏极电流Ids 5.00 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SST112-T1-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans JFET N-CH 3Pin TO-236 T/R

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