SI1905DL-T1

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SI1905DL-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 600 mΩ

极性 Dual P-Channel, P-Channel

耗散功率 270 mW

漏源极电压Vds -8.00 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 570 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1905DL-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6Pin SC-70 T/R

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