SI4940DY-T1

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SI4940DY-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 36.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.10 W

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.20 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: SI4940DY-T1
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 4.2A 8Pin SOIC N T/R

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