SSS6N70A

SSS6N70A图片1
SSS6N70A概述

先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET

BVDSS= 700 V RDSon = 1.8 W ID= 4 A

FEATURES

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA Max. @ VDS= 700V

Low RDSON : 1.552 WTyp.


立创商城:
N沟道 700V 4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin3+Tab TO-3PF


Win Source:
Advanced Power MOSFET


SSS6N70A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 4A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

宽度 5.5 mm

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSS6N70A
型号: SSS6N70A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

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