SI4467DY

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SI4467DY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6.70 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4467DY
型号: SI4467DY
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号SI4467DY
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4467DY

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDS4465

飞兆/仙童

功能相似

SI4467DY和FDS4465的区别

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