N沟道 600V 900mA
N-Channel 600V 900mA Tc 2.5W Ta, 28W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
立创商城:
N沟道 600V 900mA
贸泽:
MOSFET N-Ch/600V/0.9a/12Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
漏源极电阻 12.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 900 mA
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 215pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SSR1N60BTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SSR1N60BTF 飞兆/仙童 | 完全替代 | SSR1N60BTM和SSR1N60BTF的区别 |
FQD1N60TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | SSR1N60BTM和FQD1N60TF的区别 |
FQD1N60TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | SSR1N60BTM和FQD1N60TM的区别 |