SI5475DC-T1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI5475DC-T1图片1

SI5475DC-T1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 31.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.50 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5475DC-T1

型号： SI5475DC-T1

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：P通道12 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 12-V D-S MOSFET