SI6966DQ-T1

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SI6966DQ-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI6966DQ-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 8Pin TSSOP T/R

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