STT3PF20V

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STT3PF20V概述

P沟道20V - 0.14欧姆 - 2.2A SOT23-6L 2.7 -DRIVE STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.2A SOT23-6L 2.7-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.2A/-0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 140mΩ@ VGS = 4.5V, ID = -1A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.6V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| P-CHANNEL 20V - 0.14 W - 2.2A SOT23-6L 2.7-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET APPLICATIONS DC-DC CONVERTERS BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC EQUIPMENT CELLULAR 描述与应用| P沟道20V - 0.14 W - 2.2A SOT23-6L 2.7驱动器的STripFET™II功率MOSFET 应用 DC-DC转换器 电池管理游牧设备 蜂窝设备

STT3PF20V中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.20 A

漏源极电阻 140 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.6W Tc

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 315pF @15VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STT3PF20V引脚图与封装图
STT3PF20V引脚图
STT3PF20V封装图
STT3PF20V封装焊盘图
在线购买STT3PF20V
型号: STT3PF20V
描述:P沟道20V - 0.14欧姆 - 2.2A SOT23-6L 2.7 -DRIVE STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.2A SOT23-6L 2.7-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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