STB23NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB23NM60N概述

N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET

N-Channel 600V 19A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STB23NM60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 2050pF @50VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB23NM60N

型号： STB23NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET

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