SI1026X-T1

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SI1026X-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 320 mA

封装参数

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1026X-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6Pin SC-89 T/R

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