STSJ50NH3LL参数规格_中文资料_数据手册PDF

STSJ50NH3LL概述

N沟道30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO - 8超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO-8 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET

N-Channel 30V 50A Tc 3W Ta, 50W Tc Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerSO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC

STSJ50NH3LL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 A

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3W Ta, 50W Tc

输入电容 965 pF

栅电荷 9.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 32.0 ns

输入电容Ciss 965pF @25VVds

额定功率Max 3 W

耗散功率Max 3W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STSJ50NH3LL引脚图与封装图

在线购买STSJ50NH3LL

型号： STSJ50NH3LL

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO - 8超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO-8 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET

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替代型号STSJ50NH3LL

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