SI9934DY

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SI9934DY中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 36 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

上升时间 18 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9934DY
型号: SI9934DY
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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