STU95N3LLH6参数规格_中文资料_数据手册PDF

STU95N3LLH6概述

N沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， D2PAK ， DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Î© , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 70W（Tc） I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

STU95N3LLH6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 70W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STU95N3LLH6

型号： STU95N3LLH6

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， D2PAK ， DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Î© , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

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替代型号STU95N3LLH6

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