SI4965DY-T1

SI4965DY-T1图片1
SI4965DY-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 21.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -8.00 A to 8.00 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI4965DY-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

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