先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
■ Avalanche Rugged Technology
■ Rugged Gate Oxide Technology
■ Lower Input Capacitance
■ Improved Gate Charge
■ Extended Safe Operating Area
■ Lower Leakage Current : -10 mA Max. @ VDS = -200V
■ Low RDSON : 0.581 Ω Typ.
贸泽:
MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220
漏源极电阻 800 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 965pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99