STB190NF04T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB190NF04T4概述

N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

N-Channel 40V 120A Tc 310W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

STB190NF04T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 120 A

漏源极电阻 4.30 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 310W Tc

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 120 A

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB190NF04T4

型号： STB190NF04T4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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替代型号STB190NF04T4

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