P沟道 60V 7.8A
Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Product Highlights
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 µA Max. @ V
DS
= -60V
Lower R
DSON
: 0.206
W
Typ.
得捷:
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
立创商城:
P沟道 60V 7.8A
贸泽:
MOSFET PCh/60V/7.8a/0.28Ohm
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Online Components:
Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 32 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.8A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 600pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 32W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SFR9024TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD7P06TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | SFR9024TM和FQD7P06TF的区别 |
STD10P6F6 意法半导体 | 功能相似 | SFR9024TM和STD10P6F6的区别 |
STD10PF06T4 意法半导体 | 功能相似 | SFR9024TM和STD10PF06T4的区别 |