STD11NM60N

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STD11NM60N概述

N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 , TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

Description

This series of devices is realized with the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

General features

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistancel

Applications

■ Switching application

STD11NM60N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 90W Tc

输入电容 850 pF

栅电荷 31.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 18.5 ns

输入电容Ciss 850pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD11NM60N
型号: STD11NM60N
描述:N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 , TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET
替代型号STD11NM60N
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ST Microelectronics 意法半导体

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