









N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
N-Channel 600V 10A Tc 150W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP12NK60Z Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 30 V, 3.75 V
Win Source:
N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESHMOSFET
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
漏源极电阻 530 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 1.74 nF
栅电荷 59.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 18.5 ns
输入电容Ciss 1740pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 31.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP12NK60Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP13NM60N 意法半导体 | 类似代替 | STP12NK60Z和STP13NM60N的区别 |
STP18N55M5 意法半导体 | 类似代替 | STP12NK60Z和STP18N55M5的区别 |
STP19NM50N 意法半导体 | 类似代替 | STP12NK60Z和STP19NM50N的区别 |