SUD40N10-25

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SUD40N10-25中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 33.0 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 40 ns

下降时间 80 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SUD40N10-25
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:N沟道100 -V (D -S ) 175C MOSFET N-Channel 100-V D-S 175C MOSFET

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