SI4884DY

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SI4884DY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 11.5 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4884DY
型号: SI4884DY
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
替代型号SI4884DY
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4884DY

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDS8880

飞兆/仙童

功能相似

SI4884DY和FDS8880的区别

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