SI7440DP-T1

SI7440DP-T1图片1
SI7440DP-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 65.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.90 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI7440DP-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 30-V D-S Fast Switching MOSFET

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