SI9926DY

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SI9926DY中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 12 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 10.5 A

上升时间 10 ns

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI9926DY
型号: SI9926DY
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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