STU8NM60ND概述
IPAK N-CH 600V 7A
通孔 N 通道 600 V 7A（Tc） 70W（Tc） I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
贸泽:
MOSFET N-CH 6V 7A FDMESH FDMesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
STU8NM60ND中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 560pF @50VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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