STB12NM50FDT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB12NM50FDT4概述

N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

N-Channel 500V 12A Tc 160W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh™ Power MOSFET with FAST DIODE | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

STB12NM50FDT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160W Tc

输入电容 1.00 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

额定功率Max 160 W

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB12NM50FDT4

型号： STB12NM50FDT4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

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