STI12NM50N概述
N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
N-Channel 500V 11A Tc 100W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch, 500V-0.29ohms Mdmesh 11A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
STI12NM50N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 380 mΩ
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 940pF @50VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STI12NM50N
型号： STI12NM50N
描述：N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP