STS1HNK60概述
N沟道600V - 8W - 0.3A SO- 8超网， TMPower MOSFET N-CHANNEL 600V - 8W - 0.3A SO-8 SuperMESH-TMPower MOSFET
N-Channel 600V 300mA Tc 2W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 8-Pin SO N T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
STS1HNK60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 300 mA
漏源极电阻 8.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 190 mA, 300 mA
上升时间 5.00 ns
输入电容Ciss 156pF @25VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STS1HNK60
型号： STS1HNK60
描述：N沟道600V - 8W - 0.3A SO- 8超网， TMPower MOSFET N-CHANNEL 600V - 8W - 0.3A SO-8 SuperMESH-TMPower MOSFET