STI14NM65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI14NM65N概述

N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

N-Channel 650V 12A Tc 125W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Win Source:
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

STI14NM65N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STI14NM65N

型号： STI14NM65N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

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替代型号STI14NM65N

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