N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK
表面贴装型 N 通道 12A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
贸泽:
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 320 mΩ
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 960pF @50VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB13NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD14NM50N 意法半导体 | 功能相似 | STB13NM50N和STD14NM50N的区别 |