SI9410DY参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI9410DY中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 7.00 A

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI9410DY

型号： SI9410DY

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：单N沟道增强型MOSFET Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

替代型号SI9410DY

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI9410DY Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDS6612A 飞兆/仙童	类似代替	SI9410DY和FDS6612A的区别
FDS6630A 飞兆/仙童	类似代替	SI9410DY和FDS6630A的区别
NDS9410A 飞兆/仙童	类似代替	SI9410DY和NDS9410A的区别