SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
N-Channel 100V 70A Tc 250W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
额定电压DC 100 V
额定电流 70.0 A
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
输入电容 4.54 nF
栅电荷 240 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 4540pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SPP70N10L Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPW47N60C3 英飞凌 | 功能相似 | SPP70N10L和SPW47N60C3的区别 |
RFP15N05L 飞兆/仙童 | 功能相似 | SPP70N10L和RFP15N05L的区别 |
RFP30P05 英特矽尔 | 功能相似 | SPP70N10L和RFP30P05的区别 |