N沟道30V - 0.002欧姆 - 120A TO- 247超低导通电阻STripFET⑩ II MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
N-Channel 30V 120A Tc 350W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
额定电压DC 30.0 V
额定电流 120 A
漏源极电阻 2.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
输入电容Ciss 10000pF @25VVds
耗散功率Max 350W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW200NF03 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN003-25W,127 恩智浦 | 功能相似 | STW200NF03和PSMN003-25W,127的区别 |