STD50N03L-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD50N03L-1概述

N沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

通孔 N 通道 40A（Tc） 60W（Tc） I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A IPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A IPAK

STD50N03L-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1434pF @25VVds

额定功率Max 60 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD50N03L-1

型号： STD50N03L-1

描述：N沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

替代型号STD50N03L-1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STD50N03L-1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
SPP80N06S-08 英飞凌	功能相似	STD50N03L-1和SPP80N06S-08的区别
IPP80N06S2-08 英飞凌	功能相似	STD50N03L-1和IPP80N06S2-08的区别
STP60N3LH5 意法半导体	功能相似	STD50N03L-1和STP60N3LH5的区别