SI4925DY参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4925DY中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 25.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

上升时间 22 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4925DY

型号： SI4925DY

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

替代型号SI4925DY