N沟道30V - 0.0027欧姆 - 100A PowerSO - 8⑩ STripFET⑩ III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.0027 ohm - 100A PowerSO-8⑩ STripFET⑩ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
N-Channel 30V 100A Tc 3W Ta, 70W Tc Surface Mount 8-SOIC-EP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
贸泽:
MOSFET RECTIFIER
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerSO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
通道数 1
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A, 100 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STSJ100NH3LL ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC080N03LSGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | STSJ100NH3LL和BSC080N03LSGATMA1的区别 |
BSC0909NS 英飞凌 | 功能相似 | STSJ100NH3LL和BSC0909NS的区别 |
STL140N4LLF5 意法半导体 | 功能相似 | STSJ100NH3LL和STL140N4LLF5的区别 |