SI6933DQ

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SI6933DQ中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.00 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI6933DQ
型号: SI6933DQ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号SI6933DQ
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