STP21NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP21NM60N概述

N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

N-Channel 600V 17A Tc 140W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

STP21NM60N中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 17.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140W Tc

输入电容 1.95 nF

栅电荷 66.6 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP21NM60N

型号： STP21NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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替代型号STP21NM60N

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