SI6966DQ

SI6966DQ图片1
SI6966DQ中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 17 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 8 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1 mm

封装 TSSOP-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI6966DQ
型号: SI6966DQ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号SI6966DQ
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