STD7NM50N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD7NM50N概述

N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

贸泽:
MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

STD7NM50N中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 780 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 400pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD7NM50N

型号： STD7NM50N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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