SI4450DY参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4450DY中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 8 ns

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4450DY

型号： SI4450DY

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号SI4450DY

型号/品牌

代替类型

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