SI3442DV概述
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel 20V 4.1A Ta 1.6W Ta Surface Mount SuperSOT™-6
得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
立创商城:
N沟道 20V 4.1A
贸泽:
MOSFET SSOT6 SINGLE NCH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin SuperSOT
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
SI3442DV中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 4.10 A
通道数 1
漏源极电阻 39 mΩ
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 365pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI3442DV
型号： SI3442DV
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor