STB8NM60N概述
N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
N-Channel 600V 7A Tc 70W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-ch 600 Volts 7 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
STB8NM60N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 650 mΩ
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 560pF @50VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STB8NM60N
型号： STB8NM60N
描述：N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK