SI5905DC-T1

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SI5905DC-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 90.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.10 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -3.00 A to 3.00 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5905DC-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

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