STT4PF20V参数规格_中文资料_数据手册PDF

STT4PF20V概述

P沟道20V - 0.090 W¯¯ - 3A SOT23-6L 2.7V -DRIVE的STripFET ？二功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET

P-Channel 20V 3A Tc 1.6W Tc Surface Mount SOT-23-6

得捷:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6

贸泽:
MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6

STT4PF20V中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.00 A

漏源极电阻 90.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 500pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 39 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.75 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STT4PF20V

型号： STT4PF20V

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：P沟道20V - 0.090 W¯¯ - 3A SOT23-6L 2.7V -DRIVE的STripFET ？二功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET

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替代型号STT4PF20V

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