SI7842DP-T1

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SI7842DP-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.40 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.30 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI7842DP-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/R

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