SI4936ADY参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4936ADY概述

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET

Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET

FEATURES

TrenchFET® Power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A Automotive 8-Pin SOIC N

SI4936ADY中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 36.0 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.10 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.90 A

上升时间 14.0 ns

封装参数

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4936ADY

型号： SI4936ADY

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET